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■ 特点
◆ 广泛用于高压高频脉冲路中
◆ 损耗小，内部温升小，优异的阻燃性能
◆ 适合作为IGBT的吸收电容
■ 技术要求
| 引用标准 | GB/T 17702,IEC61071 | |
| 气候类别 | 40/85/56 | |
| 工作温度范围 | -40℃~85℃ | |
| (外壳最高温度点) | ||
| 额定电压 | 630Vdc~3000Vdc | |
| 电容量范围 | 0.047μF~8.2μF | |
| 电容量偏差 | J(±5%)K(±10%) | |
| 耐电压 | 1.5Un(10S) | |
| 损耗角正切 | ≤5×10⁻⁴ (20℃,1kHz) | |
| 绝缘电阻 | 10000S | |
| (20℃,100Vdc,1min) | ||
